MGC50D12A1-251H3, Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В

MGC50D12A1-251H3, Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 9-12 дней
5 140 руб.
от 2 шт.4 970 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 140 руб.
Номенклатурный номер: 8004257230
Артикул: MGC50D12A1-251H3
Бренд: TechSem

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT
Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В

Технические параметры

Вес, г 160

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «IGBT модули»

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.