2N5115, JFET JFET P-Channel 30V Low Noise
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
49 шт., срок 7-9 недель
3 110 руб.
от 10 шт. —
2 610 руб.
от 25 шт. —
2 380 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 110 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Технические параметры
| Brand: | InterFET |
| Configuration: | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0: | -60 mA |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Gate-Source Cutoff Voltage: | 6 V |
| Id - Continuous Drain Current: | -15 mA |
| Manufacturer: | InterFET |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-18-3 |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW(1/2 W) |
| Product Category: | JFET |
| Product Type: | JFETs |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 Ohms |
| Series: | 2N51 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Type: | JFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | -15 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 346 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
