IGBT модуль CM150DX-34SA MIT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 590 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 13 590 руб.
Описание
Транзисторы импортные
Примечание: !
Биполярный транзистор IGBT, 150 А, 1700 ВТехнические параметры
| Защита от перегрева | нет |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Структура модуля | полумост |
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Дополнительная информация
Похожие товары
![SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]](https://static.chipdip.ru/lib/529/DOC010529909.jpg)
![SKIIP23NAB126V1 Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 2]](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC005806826.jpg)
