2N2907APBFREE

Фото 1/4 2N2907APBFREE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8934 шт., срок 7-9 недель
320 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 25 шт.280 руб.
от 100 шт.250 руб.
от 1000 шт.223.34 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 640 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8022977057

Описание

Биполярный (BJT) транзистор PNP 60V 600mA 200MHz 400mW Through Hole TO-18

Технические параметры

Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 200MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65В°C ~ 200В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Power - Max 400mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Simulation Models http://www.centralsemi.com/docs/csm/2N2907A.LIB
Supplier Device Package TO-18
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Automotive No
Configuration Single
Maximum Collector Base Voltage - (V) 60
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) 60
Maximum DC Collector Current - (A) 0.6
Maximum Emitter Base Voltage - (V) 5
Maximum Power Dissipation - (mW) 1800
Maximum Transition Frequency - (MHz) 200(Min)
Military No
Minimum DC Current Gain 75@100uA@10VI100@1mA@10VI100@10mA@10VI100@150mA@10VI50@500mA@10V
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -65~200
Packaging Box
Pin Count 3
Standard Package Name TO-206-AA
Supplier Package TO-18

Техническая документация

Datasheet
pdf, 594 КБ
Документация
pdf, 608 КБ
Datasheet 2N2907A
pdf, 63 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.