Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
728 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 12.5…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.1
Логическое напряжение (VIH), В: 1.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.29
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.43
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 75
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: soic-16(0.154 inch)
|
![]() |
728 шт. |
440 руб. × |
от 5 шт. — 420 руб.
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
270 руб. × |
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
290 руб. × |
от 5 шт. — 245 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип входа: неинвертирующий
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
210 руб. × |
от 5 шт. — 150 руб.
от 10 шт. — 130 руб.
от 100 шт. — 116.63 руб.
|
|
4-7 дней, 269 шт.
Бренд: Semikron
Конфигурация: Half-Bridge
Кол-во каналов: 2
Рабочая температура, °C: -40…+85
|
![]() |
4-7 дней, 269 шт. |
9 660 руб. × |
от 5 шт. — 9 170 руб.
от 10 шт. — 8 710 руб.
от 20 шт. — 8 274.14 руб.
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.6
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
470 руб. × |
|
|
По запросу
Бренд: ST Microelectronics
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 14.6…16.6
Логическое напряжение (VIL), В: 1.5
Логическое напряжение (VIH), В: 3.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -45…+125(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
По запросу |
460 руб. × |
|
По запросу
Бренд: Intersil
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 4
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 8.5…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 95
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 9
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9
Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ)
Корпус: soic-16(0.154 inch)
|
![]() |
По запросу |
1 090 руб. × |
от 15 шт. — 1 020 руб.
|