Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
![]() |
90 руб. × |
от 5 шт. — 77 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
|
![]() |
120 руб. × |
от 5 шт. — 87 руб.
|
|
![]() |
52 руб. × |
от 3 шт. — 48 руб.
|
||
Бренд: Fairchild
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 155
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.2
Корпус: to-126
|
![]() |
71 руб. × |
от 5 шт. — 68 руб.
|
|
![]() |
56 руб. × |
от 5 шт. — 39 руб.
|
||
![]() |
24 руб. × |
от 5 шт. — 22 руб.
|
||
![]() |
220 руб. × |
от 5 шт. — 197 руб.
|
||
![]() |
280 руб. × |
от 5 шт. — 250 руб.
|
||
![]() |
49 руб. × |
от 5 шт. — 46 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 20
Корпус: to-126
|
![]() |
29 руб. × |
от 15 шт. — 21 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
|
![]() |
22 руб. × |
|
|
48 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn с резистором и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 700
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5.5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 57
Корпус: ISOWATT-218FX
|
![]() |
48 шт. |
170 руб. × |
от 5 шт. — 156 руб.
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 200
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 6
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 180
Корпус: то-3
|
![]() |
420 руб. × |
от 5 шт. — 391 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250
Корпус: то-3
|
![]() |
830 руб. × |
от 5 шт. — 782 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250
Корпус: то-3
|
![]() |
600 руб. × |
от 5 шт. — 561 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250
Корпус: то-3
|
![]() |
500 руб. × |
от 15 шт. — 468 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250
Корпус: то-3
|
![]() |
450 руб. × |
от 5 шт. — 425 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250
Корпус: то-3
|
![]() |
1 000 руб. × |
от 15 шт. — 950 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75
Корпус: dpak(to-252)
|
![]() |
70 руб. × |
от 50 шт. — 63 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000…12000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75
Корпус: dpak(to-252)
|
![]() |
58 руб. × |
от 50 шт. — 53 руб.
|