Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2
Корпус: to-220
|
![]() |
240 руб. × |
от 15 шт. — 196 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2
Корпус: to-220
|
![]() |
250 руб. × |
от 15 шт. — 209 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2
Корпус: to-220
|
![]() |
220 руб. × |
от 15 шт. — 191 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5
Корпус: to-126
|
![]() |
69 руб. × |
от 15 шт. — 57 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5
Корпус: to-126
|
![]() |
72 руб. × |
от 15 шт. — 60 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1500
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 6
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5
Корпус: to-126
|
![]() |
71 руб. × |
от 15 шт. — 69 руб.
|
|
140 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 70
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 75
Корпус: to-220
|
![]() |
140 шт. |
90 руб. × |
от 15 шт. — 72 руб.
|
126 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 70
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 75
Корпус: to-220
|
![]() |
126 шт. |
98 руб. × |
от 15 шт. — 95 руб.
|
633 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 20.8
Корпус: to-126
|
![]() |
633 шт. |
73 руб. × |
от 15 шт. — 71 руб.
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 20
Корпус: to-126
|
![]() |
65 руб. × |
от 15 шт. — 54 руб.
|
|
827 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 20.8
Корпус: to-126
|
![]() |
827 шт. |
71 руб. × |
от 15 шт. — 70 руб.
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 20
Корпус: to-126
|
![]() |
73 руб. × |
от 15 шт. — 61 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 1000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 450
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 14
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 13
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 35
Корпус: TO-220FP
|
![]() |
430 руб. × |
от 15 шт. — 363 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 400
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 150
Корпус: TO-247
|
![]() |
880 руб. × |
от 15 шт. — 740 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 260
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 260
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 75
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-264
|
![]() |
710 руб. × |
от 15 шт. — 662 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-264
|
![]() |
790 руб. × |
от 15 шт. — 738 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-264
|
![]() |
910 руб. × |
от 15 шт. — 857 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 260
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 260
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 75
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-264
|
![]() |
650 руб. × |
от 15 шт. — 596 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 230
Корпус: TO-264
|
![]() |
1 160 руб. × |
от 15 шт. — 1 110 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 30
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-247
|
![]() |
760 руб. × |
от 15 шт. — 695 руб.
|