Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs)

Транзисторы биполярные (BJTs), стр.40

_{более 5000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

MJE15033G, Транзистор PNP 250В 8А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2 Корпус: to-220	быстрый просмотр		240 руб. ×	от 15 шт. — 196 руб.
MJE15034G, Транзистор NPN 350В 4А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 350 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2 Корпус: to-220	быстрый просмотр		250 руб. ×	от 15 шт. — 209 руб.
MJE15035G, Транзистор PNP 350В 4А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 350 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2 Корпус: to-220	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 191 руб.
MJE243G, Транзистор NPN 100В 4А [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 40 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5 Корпус: to-126	быстрый просмотр		69 руб. ×	от 15 шт. — 57 руб.
MJE253G, Транзистор PNP 100В 4А [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 40 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5 Корпус: to-126	быстрый просмотр		72 руб. ×	от 15 шт. — 60 руб.
MJE270G, Транзистор, [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1500 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 6 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5 Корпус: to-126	быстрый просмотр		71 руб. ×	от 15 шт. — 69 руб.
MJE2955T, PNP биполярный транзистор, [TO-220] 140 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 70 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 75 Корпус: to-220	быстрый просмотр	140 шт.	90 руб. ×	от 15 шт. — 72 руб.
MJE3055T, Транзистор, [TO-220] 126 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 70 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 75 Корпус: to-220	быстрый просмотр	126 шт.	98 руб. ×	от 15 шт. — 95 руб.
MJE340, Транзистор, [TO-126] 633 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 20.8 Корпус: to-126	быстрый просмотр	633 шт.	73 руб. ×	от 15 шт. — 71 руб.
MJE340G, Транзистор NPN 300В 0.5А [TO-126] (=KSE340) Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 20 Корпус: to-126	быстрый просмотр		65 руб. ×	от 15 шт. — 54 руб.
MJE350, Транзистор PNP, 300В, 0.5А, 20Вт [ТО-126] 827 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 20.8 Корпус: to-126	быстрый просмотр	827 шт.	71 руб. ×	от 15 шт. — 70 руб.
MJE350G, Транзистор PNP 300В 500мА [ТО-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 20 Корпус: to-126	быстрый просмотр		73 руб. ×	от 15 шт. — 61 руб.
MJF18004G, Биполярный NPN мощный транзистор, [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 1000 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 450 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 14 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 13 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 35 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр		430 руб. ×	от 15 шт. — 363 руб.
MJH11021G, Транзистор PNP Darlington 250В 15А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 400 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		880 руб. ×	от 15 шт. — 740 руб.
MJL1302AG, Транзистор PNP 15A 200V, [TO-264] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 260 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 260 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 75 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: TO-264	быстрый просмотр		710 руб. ×	от 15 шт. — 662 руб.
MJL21193G, Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 200 Вт, [TO-264] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: TO-264	быстрый просмотр		790 руб. ×	от 15 шт. — 738 руб.
MJL21194G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт, [TO-264] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: TO-264	быстрый просмотр		910 руб. ×	от 15 шт. — 857 руб.
MJL3281AG, Транзистор, NPN, аудио, 260 В, 30 МГц, 200 Вт, 15 А, 150 hFE, [TO-264] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 260 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 260 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 75 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: TO-264	быстрый просмотр		650 руб. ×	от 15 шт. — 596 руб.
MJL4302AG, Транзистор PNP 350В 15А [ТО-264] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 350 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 35 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 230 Корпус: TO-264	быстрый просмотр		1 160 руб. ×	от 15 шт. — 1 110 руб.
MJW21193G, Транзистор PNP 250В 16А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 30 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		760 руб. ×	от 15 шт. — 695 руб.