Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
1422 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 75
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 1422 шт. |
42 руб. × |
от 50 шт. — 40 руб.
|
1122 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 1122 шт. |
130 руб. × |
от 20 шт. — 118 руб.
|
76 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn с диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 8
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 36
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 76 шт. |
210 руб. × |
от 15 шт. — 205 руб.
|
651 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 100
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 651 шт. |
200 руб. × |
от 15 шт. — 180 руб.
|
292 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 16
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.6
Корпус: SOT-223
|
быстрый просмотр | 292 шт. |
65 руб. × |
от 50 шт. — 55 руб.
|
быстрый просмотр | 741 шт. |
120 руб. × |
от 20 шт. — 104 руб.
|
|
241 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 130
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.6
Корпус: SOT-223
|
быстрый просмотр | 241 шт. |
120 руб. × |
от 50 шт. — 95 руб.
|
197 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 197 шт. |
110 руб. × |
от 50 шт. — 95 руб.
|
115 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 115 шт. |
150 руб. × |
от 15 шт. — 111 руб.
|
262 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 262 шт. |
68 руб. × |
от 15 шт. — 53 руб.
|
Бренд: Fairchild
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 130 руб. × |
от 15 шт. — 107 руб.
|
|
114 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 114 шт. |
140 руб. × |
от 15 шт. — 113 руб.
|
608 шт.
Бренд: Inchange
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 608 шт. |
120 руб. × |
от 15 шт. — 79 руб.
|
1134 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 1134 шт. |
81 руб. × |
от 15 шт. — 64 руб.
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 65 руб. × |
от 15 шт. — 53 руб.
|
|
361 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 361 шт. |
62 руб. × |
от 15 шт. — 49 руб.
|
689 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 689 шт. |
95 руб. × |
от 15 шт. — 91 руб.
|
171 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 70
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 171 шт. |
130 руб. × |
от 15 шт. — 91 руб.
|
239 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 125
Корпус: TO-247
|
быстрый просмотр | 239 шт. |
240 руб. × |
от 15 шт. — 180 руб.
|
467 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 467 шт. |
170 руб. × |
от 15 шт. — 163 руб.
|