1ED3123MU12HXUMA1, IGBT DRIVER, HIGH SIDE, -40 TO 125DEG C

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

900 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 10 шт. — 800 руб.

от 25 шт. — 724 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 2 700 руб.

Плати частями
от 675 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8009186759

Артикул: 1ED3123MU12HXUMA1

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов

The Infineon gate driver ICs are galvanically isolated single channel gate driver ICs for IGBT, MOSFET and SiC MOSFET in PG-DSO-8 package.

IC Case / Package	SOIC
Задержка Выхода	90нс
Задержка по Входу	90нс
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Количество Каналов	1канал(-ов)
Конфигурация Привода	Высокая Сторона
Линейка Продукции	EiceDRIVER 1ED
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальное Напряжение Питания	15В
Минимальная Рабочая Температура	-40°C
Минимальное Напряжение Питания	3.1В
Тип переключателя питания	IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
Ток истока	14А
Ток стока	14А
Fall Time	30ns
Logic Type	CMOS
Output Current	14 A
Package Type	PG-DSO-8
Pin Count	8
Supply Voltage	3.1 to 17V
Вес, г	0.45