2ED020I12FAXUMA2, Драйвер БТИЗ, полумостовой, 2A, 4.5В до 5.5В питание, 30нс/50нс задержка, SOIC-36

Фото 1/2 2ED020I12FAXUMA2, Драйвер БТИЗ, полумостовой, 2A, 4.5В до 5.5В питание, 30нс/50нс задержка, SOIC-36
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 750 руб.
от 10 шт.2 450 руб.
от 25 шт.2 340 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 750 руб.
Плати частями
от 689 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8775267171
Артикул: 2ED020I12FAXUMA2

Описание

The Infineon EiceDRIVER 1200 V dual high-side gate driver IC with typical 2 A source and 2 A sink output currents in a functional galvanically isolated PG-DSO-36 package for IGBTs and SiC MOSFETs.

Технические параметры

Fall Time 350ns
Logic Type CMOS
Output Current 2 A
Package Type SOIC-36
Pin Count 36
Supply Voltage 20V
Brand: Infineon Technologies
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Fall Time: 350 ns
Manufacturer: Infineon
Maximum Operating Temperature: +125 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Drivers: 2 Driver
Number of Outputs: 2 Output
Output Current: 2 A
Package/Case: SOIC-36
Packaging: Reel, Cut Tape
Part # Aliases: 2ED020I12FA SP001054678
Product Category: Gate Drivers
Product Type: Gate Drivers
Product: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Qualification: AEC-Q100
Rise Time: 400 ns
Series: Dual
Subcategory: PMIC-Power Management ICs
Supply Voltage - Max: 20 V
Supply Voltage - Min: 4.5 V
Technology: Si
Tradename: EiceDRIVER
Вес, г 0.92

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1667 КБ
Datasheet
pdf, 627 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем