2EDN7524GXTMA1, Gate Driver, 2 канал(-ов), Низкая Сторона, GaN HEMT, IGBT, MOSFET, 8 вывод(-ов), WSON
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
340 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
280 руб.
от 50 шт. —
246 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 720 руб.
Плати частями
от 680 руб. × 4 платежа
от 680 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов
The Infineon 2EDN752x/2EDN852x is an advanced dual-channel driver. It is suited to drive logic and normal level MOSFETs and supports OptiMOSTM, CoolMOSTM, Standard Level MOSFETs, Superjunction MOSFETs, as well as IGBTs and GaN Power devices.
Технические параметры
Тип входа | Non-Inverting | |
IC Case / Package | WSON | |
Задержка Выхода | 19нс | |
Задержка по Входу | 17нс | |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) | |
Количество Каналов | 2канал(-ов) | |
Конфигурация Привода | Низкая Сторона | |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C | |
Максимальное Напряжение Питания | 20В | |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C | |
Минимальное Напряжение Питания | 4.5В | |
Стиль Корпуса Привода | WSON | |
Тип переключателя питания | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | |
Ток истока | 5А | |
Ток стока | 5А | |
Fall Time | 4.5ns | |
Logic Type | CMOS, LVTTL | |
Output Current | 5 A | |
Pin Count | 8 | |
Supply Voltage | 20V | |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet 2EDN7524GXTMA1
pdf, 1076 КБ
Datasheet EVAL2500WPFCGANATOBO1
pdf, 1174 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем