2EDN7524GXTMA1, Gate Driver, 2 канал(-ов), Низкая Сторона, GaN HEMT, IGBT, MOSFET, 8 вывод(-ов), WSON

Фото 1/3 2EDN7524GXTMA1, Gate Driver, 2 канал(-ов), Низкая Сторона, GaN HEMT, IGBT, MOSFET, 8 вывод(-ов), WSON
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
340 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт.280 руб.
от 50 шт.246 руб.
Добавить в корзину 8 шт. на сумму 2 720 руб.
Плати частями
от 680 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8001897591
Артикул: 2EDN7524GXTMA1

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов
The Infineon 2EDN752x/2EDN852x is an advanced dual-channel driver. It is suited to drive logic and normal level MOSFETs and supports OptiMOSTM, CoolMOSTM, Standard Level MOSFETs, Superjunction MOSFETs, as well as IGBTs and GaN Power devices.

Технические параметры

Тип входа Non-Inverting
IC Case / Package WSON
Задержка Выхода 19нс
Задержка по Входу 17нс
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Количество Каналов 2канал(-ов)
Конфигурация Привода Низкая Сторона
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальное Напряжение Питания 20В
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Минимальное Напряжение Питания 4.5В
Стиль Корпуса Привода WSON
Тип переключателя питания GaN HEMT, IGBT, MOSFET
Ток истока
Ток стока
Fall Time 4.5ns
Logic Type CMOS, LVTTL
Output Current 5 A
Pin Count 8
Supply Voltage 20V
Вес, г 0.03

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем