2N5551TA, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 руб.
1 шт.
на сумму 18 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги10
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности: | 625 mW |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Высота: | 4.7 mm |
| Длина: | 4.7 mm |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 80 |
| Конфигурация: | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 250 |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 0.6 A |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 180 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 160 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 0.2 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток: | 0.6 A |
| Подкатегория: | Transistors |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 300 MHz |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки: | 2000 |
| Серия: | 2N5551 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка: | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок: | TO-92-3 Kinked Lead |
| Упаковка: | Ammo Pack |
| Ширина: | 3.93 mm |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N5551TA
pdf, 420 КБ
Datasheet 2N5551TF
pdf, 211 КБ
Документация
pdf, 407 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
