2SK3018T106, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 100 мА, 8 Ом, SOT-323, Surface Mount
![Фото 1/2 2SK3018T106, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 100 мА, 8 Ом, SOT-323, Surface Mount](https://static.chipdip.ru/lib/792/DOC012792584.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/860/DOC043860556.jpg)
21020 шт., срок 7-9 недель
37 руб.
Мин. кол-во для заказа 70 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
29 руб.
70 шт.
на сумму 2 590 руб.
Плати частями
от 649 руб. × 4 платежа
от 649 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Технические параметры
Brand | ROHM Semiconductor |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 80 ns |
Forward Transconductance - Min | 20 mS |
Id - Continuous Drain Current | 100 mA |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number Of Channels | 1 Channel |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Part # Aliases | 2SK3018 |
Pd - Power Dissipation | 200 mW |
Product | MOSFET Small Signal |
Product Category | MOSFET |
Product Type | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 8 Ohms |
Rise Time | 35 ns |
Series | 2SK3018 |
Subcategory | MOSFETs |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 80 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 4 V |
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet 2SK3018T106
pdf, 145 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.