2SK3878(STA1,E,S), Транзистор N-канал 900В 9А [TO-3P]
![Фото 1/6 2SK3878(STA1,E,S), Транзистор N-канал 900В 9А [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC001313324.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1022 шт. со склада г.Москва
450 руб.
1 шт.
на сумму 450 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
MOSFET, N CH, 9A, 900V, TO3P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):1.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018); Current Id Max:9A; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:900V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.3 Ом/4А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 | |
| Крутизна характеристики, S | 7 | |
| Корпус | SC-65/2-16C1B | |
| Вес, г | 4.6 |
Техническая документация
Datasheet - 2SK3878
pdf, 210 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
