A1C15S12M3-F, IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 15A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5 шт., срок 7-9 недель

5 980 руб.

1 шт. на сумму 5 980 руб.

Плати частями
от 1 495 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8226967397

Артикул: A1C15S12M3-F

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	1.95В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	15А
DC Ток Коллектора	15А
Power Dissipation	142.8Вт
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	Three Phase CIB(Converter+Inverter+Brake)
Линейка Продукции	ACEPACK 1 M
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.95В
Полярность Транзистора	N Канал
Рассеиваемая Мощность	142.8Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench Field Stop
Вес, г	1.45

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем