AIGB40N65H5ATMA1, БТИЗ транзистор, 74 А, 1.65 В, 250 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)

AIGB40N65H5ATMA1, БТИЗ транзистор, 74 А, 1.65 В, 250 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 140 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.1 000 руб.
от 100 шт.749 руб.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 3 420 руб.
Плати частями
от 855 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8007254249
Артикул: AIGB40N65H5ATMA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.65В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 74А
Power Dissipation 250Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP 5
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.17

Техническая документация

Datasheet AIGB40N65H5ATMA1
pdf, 1460 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов