AIGW40N65F5XKSA1, БТИЗ транзистор, 74 А, 1.6 В, 250 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
![Фото 1/2 AIGW40N65F5XKSA1, БТИЗ транзистор, 74 А, 1.6 В, 250 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758073.jpg)
1 100 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
940 руб.
от 100 шт. —
715 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 3 300 руб.
Плати частями
от 825 руб. × 4 платежа
от 825 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Описание Транзистор: IGBT, 650В, 46А, 125Вт, TO247-3, Серия: F5 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 74А |
Power Dissipation | 250Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet AIGW40N65F5XKSA1
pdf, 1784 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов