AIGW50N65H5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.66 В, 270 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

AIGW50N65H5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.66 В, 270 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 940 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.1 790 руб.
от 10 шт.1 600 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 3 880 руб.
Плати частями
от 970 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8001628551
Артикул: AIGW50N65H5XKSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.66В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 80А
Power Dissipation 270Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP 5
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1782 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов