BC 857C E6327
![Фото 1/3 BC 857C E6327](https://static.chipdip.ru/lib/848/DOC004848329.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514322.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/927/DOC032927081.jpg)
130 руб.
от 5 шт. —
110 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Биполярные транзисторы - BJT AF TRANS GP BJT PNP 45V 0.1A
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.9 mm |
Другие названия товара № | BC857CE6327HTSA1 BC857CE6327XT SP000010640 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 800 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BC857 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 867 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов