BCR112E6327HTSA1, Trans Digital BJT NPN 50В 100мА, [SOT-23]
![Фото 1/3 BCR112E6327HTSA1, Trans Digital BJT NPN 50В 100мА, [SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/343/DOC022343563.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/927/DOC032927081.jpg)
12 руб.
от 100 шт. —
11 руб.
1 шт.
на сумму 12 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Infineon, BCR112E6327HTSA1 NPN Digital Transistor, 100 mA 50 V 4.7 kΩ, Ratio Of 1, Single, 3-Pin SOT-23
Технические параметры
Структура | npn с 2 резисторами | |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 | |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 | |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 | |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 140 | |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 | |
Корпус | sot-23 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet BCR112E6327HTSA1
pdf, 836 КБ
Datasheet BCR112SERIES
pdf, 836 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов