BIDW20N60T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
820 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
700 руб.
от 100 шт. —
580 руб.
4 шт.
на сумму 3 280 руб.
Плати частями
от 820 руб. × 4 платежа
от 820 руб. × 4 платежа
Описание
The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications.
Технические параметры
| Configuration | Single Diode |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 192 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Brand: | Bourns |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 40 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Manufacturer: | Bourns |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 192 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | BID |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
