BS170, Транзистор, N-канал, 60В, 0.5А [TO-92]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24 руб.
от 100 шт. —
22 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 24 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги12
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 500мА, Idm: 1,2А, 0,83Вт, TO92
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.5 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 Ом/0.2А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.83 | |
Крутизна характеристики, S | 0.32 | |
Корпус | TO-92 | |
Особенности | приводы электродвигателей | |
Пороговое напряжение на затворе | 3 | |
Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
BS170
pdf, 78 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 92 КБ
MMBF170
pdf, 1298 КБ
BS170, MMBF170
pdf, 837 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов