BSM180D12P2E002, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 204 А, 1.2 кВ, Module
см. техническую документацию
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
BSM180D12P2E002 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, inverter, converter, photovoltaics, wind power generation, induction heating equipment.
• Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
• Reduced temperature dependence
• 1.6V drain source voltage (Tj= 25°C, VGS=0V, IS=180A)
• 1.6 to 4V gate-source voltage range (VDS=10V, ID=35.2mA)
• 204A drain current DC (Tc=60°C), 204A source current
• 2.2V typical static drain-source on-state voltage (Tj=25°C, ID180A, VGS=18V)
• 3.2mA maximum drain cut off current (VDS=1200V, VGS=0V)
• 0.5µA maximum gate-source leakage current (VGS=22V, VDS=0V)
• 45ns typical switching characteristics (VGS(on)=18V, VGS(off)=0V)
• Operating junction temperature range from -40 to 150°C
Технические параметры
| Channel Type | Dual N Channel |
| Power Dissipation | 1.36кВт |
| Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 204А |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.36кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Id - непрерывный ток утечки | 204 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1360 W |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 18 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Vr - обратное напряжение | 1200 V |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Время нарастания | 45 ns |
| Время спада | 45 ns |
| Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | Discrete Semiconductor Modules |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Размер фабричной упаковки | 4 |
| Тип | SiC Power MOSFET |
| Тип продукта | Discrete Semiconductor Modules |
| Типичное время задержки выключения | 125 ns |
| Типичное время задержки при включении | 45 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | Module |
| Maximum Continuous Drain Current | 204 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Package Type | Module |
| Вес, г | 280 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
