BSM300C12P3E301, Silicon Carbide MOSFET, Прерыватель, N Channel, 300 А, 1.2 кВ, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
202 400 руб.
1 шт.
на сумму 202 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
Silicon Carbide (SiC) Power DevicesROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 1.36кВт |
| Конфигурация МОП-транзистора | Прерыватель |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 300А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.6В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.36кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4 |
| Fall Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 1360 W |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Product: | Power MOSFET Modules |
| Rise Time: | 35 ns |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Technology: | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | SiC Power Module |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 170 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 40 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1200 V |
| Vf - Forward Voltage: | 1.6 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 22 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 1200 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Package Type | Bulk |
| Вес, г | 280 |
Техническая документация
Datasheet BSM300C12P3E301
pdf, 868 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
