BSM300D12P3E005, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 300 А, 1.2 кВ, Module
см. техническую документацию
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
BSM300D12P3E005 is a SiC power module. This product is a half bridge module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, inverter, converter, photovoltaics, wind power generation, induction heating equipment.
• Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
• Reduced temperature dependence
• 1.7V on-state static (typ, Tj=25°C, ID=300A, VGS=18V)
• 2.5V drain-source voltage (typ, Tj=125°C, ID=300A, VGS=18V)
• 2mA drain cut-off current (max, VDS=1200V, VGS=0V, Tj=25°C)
• 2.0V source-drain voltage (typ, VGS=0V, IS=300A, Tj=25°C)
• 14nF input capacitance (typ, VDS=10V, VGS=0V, 200KHz, Tj=25°C)
• 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate f = 60Hz AC 1 min, Tj = 25°C)
• Junction temperature range from -40 to 150°C
Технические параметры
| Channel Type | Dual N Channel |
| Power Dissipation | 1.26кВт |
| Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 300А |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.6В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.26кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Package Type | Bulk |
| Вес, г | 280 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
