BSM400C12P3G202, Silicon Carbide MOSFET, Прерыватель, N Channel, 400 А, 1.2 кВ, Module
см. техническую документацию
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
BSM400C12P3G202 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-UMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, converter, photovoltaics, wind power generation.
• Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
• Reduced temperature dependence
• 1200V drain source voltage (Tj= 25°C), 1200V repetitive reverse voltage (Tj = 25°C)
• G - S voltage range from -4 to 26V (surge<300nsec, D-S short)
• Drain current is 358A (DC(Tc=60°C) VGS=18V, Tj= 25°C)
• Source current is 358A (DC(Tc=60°C) VGS=18V, Tj= 25°C)
• Forward current (clamp diode) is 400A (DC(Tc = 60°C)
• Total power dissipation is 150W (Tc = 25°C)
• Isolation voltage is 2500Vrms (terminals to baseplate f = 60Hz AC 1, min)
• Junction temperature range from -40 to 150°C
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 1.57кВт |
| Конфигурация МОП-транзистора | Прерыватель |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 400А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.6В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.57кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Maximum Continuous Drain Current | 358 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Package Type | Tray |
| Вес, г | 280 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
