BSS84LT1G, Транзистор, P-канал, 50В 130мА [SOT-23]
![Фото 1/6 BSS84LT1G, Транзистор, P-канал, 50В 130мА [SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/438/DOC004438653.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/125/DOC011125840.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/121/DOC012121012.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/850/DOC034850312.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735665.jpg)
8 руб.
от 100 шт. —
7 руб.
1 шт.
на сумму 8 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги9
Описание
Описание Транзистор P-МОП, полевой, -50В, -130мА, 225мВт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.13 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10 Ом/0.1А, 5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 | |
Крутизна характеристики, S | 270 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Пороговое напряжение на затворе | -2 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
BSS84 datasheet
pdf, 140 КБ
Datasheet
pdf, 105 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 234 КБ
BSS84
pdf, 170 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов