SiC N-Channel MOSFET, 90 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 C2M0025120D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
70 шт., срок 6 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
20 670 руб.
1 шт.
на сумму 20 670 руб.
Плати частями
от 5 169 руб. × 4 платежа
от 5 169 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор полевой C2M0025120D от производителя Wolfspeed – это мощный компонент для силовой электроники с монтажом THT. Отличительной чертой данной модели является высокий ток стока в 90 А и напряжение сток-исток, достигающее 1200 В. Мощность устройства составляет 463 Вт, что гарантирует его надежность в сложных условиях работы. Сопротивление в открытом состоянии всего 0,034 Ом обеспечивает высокую эффективность. Транзистор выполнен в корпусе TO247-3, что упрощает его установку на печатную плату. Используя модель C2M0025120D, вы получаете надежный и долговечный компонент для вашей электронной аппаратуры. Код товара для заказа: C2M0025120D. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 90 |
Напряжение сток-исток, В | 1200 |
Мощность, Вт | 463 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.034 |
Корпус | TO247-3 |
Технические параметры
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 90 A |
Тип корпуса | TO-247 |
Максимальное рассеяние мощности | 463 Вт |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Ширина | 21.1мм |
Прямая активная межэлектродная проводимость | 23.6S |
Высота | 5.21мм |
Размеры | 16.13 x 21.1 x 5.21мм |
Материал транзистора | SiC |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 16.13мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 14 нс |
Производитель | Wolfspeed |
Типичное время задержки выключения | 29 нс |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 34 мΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 1200 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 161 нКл при 20 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 2788 пФ при 1000 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | +25 В |
Прямое напряжение диода | 3.3V |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 3.3V |
Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
Maximum Drain Source Resistance | 34 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
Maximum Gate Source Voltage | +25 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 463 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Material | SiC |
Typical Gate Charge @ Vgs | 161 nC @ 20 V |
Width | 21.1mm |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.