C2M1000170D, TO-247-3 SiC MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
55 шт., срок 6-8 недель
1 200 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
950 руб.
5 шт.
на сумму 6 000 руб.
Плати частями
от 1 500 руб. × 4 платежа
от 1 500 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 3.8V |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.4 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 1700 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -5 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 69 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | SiC |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 20 V, 13 nC @ 5 V |
| Width | 5.21mm |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
