C3M0021120D, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 А, 1.2 кВ, 0.021 Ом, TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
404 шт., срок 7-9 недель
9 960 руб.
от 5 шт. —
9 280 руб.
от 10 шт. —
8 490 руб.
1 шт.
на сумму 9 960 руб.
Плати частями
от 2 490 руб. × 4 платежа
от 2 490 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
The C3M0021120D is a 1200V silicon carbide power MOSFET in a 3 pin TO-247 package. The 3rd generation planar MOSFET technology includes a rugged intrinsic body diode which allows for 3rd quadrant operation without the need for an additional external diode.
• Industry-leading 21mR RDS(on)
• High-speed switching with low output capacitance
• High blocking voltage with low RDS(on)
• Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
• Easy to parallel and simple to drive
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.021Ом |
| Power Dissipation | 469Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Линейка Продукции | C3M |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 469Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.021Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet C3M0021120D
pdf, 800 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
