C3M0075120J, Silicon Carbide MOSFET, C3M™ SiC МОП-транзистор, Single, N Канал, 30 А, 1.2 кВ, 0.075 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
441 шт., срок 7-9 недель
4 000 руб.
от 5 шт. —
3 760 руб.
от 10 шт. —
3 580 руб.
1 шт.
на сумму 4 000 руб.
Плати частями
от 1 000 руб. × 4 платежа
от 1 000 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules
Wolfspeed extends its leadership in SiC technology by introducing advanced SiC MOSFET technology in new low inductance discrete packing.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, 19 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.6V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 113.6 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-263-7 |
Pin Count | 7 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | SiC |
Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 4/15V |
Width | 9.12mm |
Continuous Drain Current (Id) | 30A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@20A, 15V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@5mA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.35nF@1000V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 113.6W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 51nC@15V |
Type | null |
Вес, г | 2.086 |
Техническая документация
Wolfspeed C3M0075120J
pdf, 1009 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.