CAS120M12BM2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
68 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
115 800 руб.
1 шт.
на сумму 115 800 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8987641989
Бренд: WOLFSPEED
Описание
Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 2.4V |
Maximum Continuous Drain Current | 193 A |
Maximum Drain Source Resistance | 30 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +25 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.6V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 925 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Screw Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | Half Bridge |
Pin Count | 7 |
Transistor Configuration | Series |
Transistor Material | SiC |
Typical Gate Charge @ Vgs | 378 nC @ 20 V |
Width | 61.4mm |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.