DG10X12T2, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.7 В, 96 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
![Фото 1/2 DG10X12T2, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.7 В, 96 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/439/DOC013439422.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC047770102.jpg)
120 шт., срок 7-9 недель
710 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
620 руб.
от 100 шт. —
494 руб.
4 шт.
на сумму 2 840 руб.
Плати частями
от 710 руб. × 4 платежа
от 710 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 20А |
Power Dissipation | 96Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Case | TO247 |
Collector current | 10A |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Gate charge | 80nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Mounting | THT |
Pulsed collector current | 30A |
Turn-off time | 493ns |
Turn-on time | 37ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 474 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.