DG120X07T2, БТИЗ транзистор, 240 А, 1.3 В, 1.25 кВт, 650 В, TO-247 Plus, 3 вывод(-ов)
![DG120X07T2, БТИЗ транзистор, 240 А, 1.3 В, 1.25 кВт, 650 В, TO-247 Plus, 3 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/990/DOC037990017.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт., срок 7-9 недель
3 110 руб.
1 шт.
на сумму 3 110 руб.
Плати частями
от 779 руб. × 4 платежа
от 779 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 120 |
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
Вес, г | 10 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.