DG15X12T2, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.75 В, 138 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
![DG15X12T2, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.75 В, 138 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/622/DOC044622343.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
39 шт., срок 7-9 недель
830 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
720 руб.
4 шт.
на сумму 3 320 руб.
Плати частями
от 830 руб. × 4 платежа
от 830 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
Описание Транзистор: IGBT
Технические параметры
Вес, г | 10 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.