DG50X12T2, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.75 В, 1.049 кВт, 1.2 кВ, TO-247 Plus, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
53 шт., срок 7-9 недель
2 120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 910 руб.
от 10 шт. —
1 620 руб.
2 шт.
на сумму 4 240 руб.
Плати частями
от 1 060 руб. × 4 платежа
от 1 060 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Case | TO247PLUS |
| Collector current | 50A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 0.35µC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 592W |
| Pulsed collector current | 150A |
| Turn-off time | 607ns |
| Turn-on time | 180ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 523 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
