DG75X12T2, TRANS, IGBT, 1.2KV, 150A, TO-247 PLUS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
90 шт., срок 7-9 недель
2 830 руб.
от 5 шт. —
2 490 руб.
от 10 шт. —
2 150 руб.
1 шт.
на сумму 2 830 руб.
Плати частями
от 709 руб. × 4 платежа
от 709 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Биполярный транзистор IGBT, 1200В 150A TO-247 PLUS
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 150А |
Power Dissipation | 1.415кВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | DOSEMI Trench |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 Plus |
Вес, г | 10 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.