DS1312S-2+, Контроллер памяти, энергонезависимая RAM, допуск напряжения 10%, 4.5В до 5.5В, NSOIC-8
![DS1312S-2+, Контроллер памяти, энергонезависимая RAM, допуск напряжения 10%, 4.5В до 5.5В, NSOIC-8](https://static.chipdip.ru/lib/972/DOC025972796.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 940 руб.
от 10 шт. —
2 640 руб.
от 25 шт. —
2 470 руб.
1 шт.
на сумму 2 940 руб.
Плати частями
от 735 руб. × 4 платежа
от 735 руб. × 4 платежа
Описание
Converts CMOS SRAM into nonvolatile memory Unconditionally write-protects SRAM when VCC is out of tolerance
Технические параметры
Maximum Backup Cell Voltage | 6V |
Maximum Operating Supply Voltage | 5.5 V |
Maximum Operating Temperature | +85 °C |
Maximum Propagation Delay Time | 10ns |
Minimum Operating Supply Voltage | 4.5 V |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SO |
Pin Count | 8 |
Width | 4mm |
Write Protect Control | Yes |
Вес, г | 0.081 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 500 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем