E3M0120090D, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 23 А, 900 В, 0.12 Ом, TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
83 шт., срок 7-9 недель
2 390 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
2 240 руб.
от 10 шт. —
2 130 руб.
2 шт.
на сумму 4 780 руб.
Плати частями
от 1 195 руб. × 4 платежа
от 1 195 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.12Ом |
Power Dissipation | 97Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | E |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 900В |
Непрерывный Ток Стока | 23А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.1В |
Рассеиваемая Мощность | 97Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.12Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet E3M0120090D
pdf, 729 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.