FB30R06W1E3BOMA1, IGBT MODULE, 600V, 39A
![FB30R06W1E3BOMA1, IGBT MODULE, 600V, 39A](https://static.chipdip.ru/lib/587/DOC043587761.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 940 руб.
от 5 шт. —
8 450 руб.
от 10 шт. —
7 850 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 940 руб.
Плати частями
от 2 235 руб. × 4 платежа
от 2 235 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 39А |
DC Ток Коллектора | 39А |
Power Dissipation | 115Вт |
Выводы БТИЗ | Solder |
Конфигурация БТИЗ | PIM |
Линейка Продукции | EasyPIM |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600В |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
Рассеиваемая Мощность | 115Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов