FDA59N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 59А [TO-3PN]
![Фото 1/4 FDA59N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 59А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/669/DOC001669566.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758085.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/238/DOC013238092.jpg)
370 руб.
от 15 шт. —
315 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 59 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.049 Ом/29.5А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 392 | |
Корпус | to-3pn | |
Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов