FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]
![Фото 1/4 FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/145/DOC027145334.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758085.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/460/DOC004460020.jpg)
610 руб.
от 15 шт. —
597 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 610 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
UniFETTM MOSFET is a high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 300 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 59 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.056 Ом/29.5А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 500 | |
Крутизна характеристики, S | 52 | |
Корпус | to-3pn | |
Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Datasheet FDA59N30
pdf, 1918 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов