Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FDD7N25LZTM, Транзистор MOSFET N-CH 250В 6.2А ...

FDD7N25LZTM, Транзистор MOSFET N-CH 250В 6.2А [D-PAK]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

39 руб.

от 15 шт. — 34 руб.

1 шт. на сумму 39 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 9000577667

Артикул: FDD7N25LZTM

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength.

Технические параметры

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.43Ом
Power Dissipation	56Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	UniFET
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	250В
Непрерывный Ток Стока	6.2А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Рассеиваемая Мощность	56Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.43Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Вес, г	0.4