FDP51N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 51А [TO-220]
![Фото 1/4 FDP51N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 51А [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254662.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/955/DOC043955477.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
520 руб.
от 15 шт. —
505 руб.
1 шт.
на сумму 520 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 51 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.06 Ом/25.5А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 320 | |
Корпус | to-220 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов