FDP52N20, Транзистор, UniFET, N-канал, 200В, 52А [TO-220]
![Фото 1/3 FDP52N20, Транзистор, UniFET, N-канал, 200В, 52А [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
330 руб.
от 15 шт. —
260 руб.
1 шт.
на сумму 330 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
MOSFET, N-CH, 200V, 52A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:52A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.041ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power Dissipation Pd:357W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 52 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.049 Ом/26А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 357 | |
| Корпус | to-220 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
