FF150R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 150A 790Вт
![Фото 1/3 FF150R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 150A 790Вт](https://static.chipdip.ru/lib/893/DOC005893473.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/329/DOC024329635.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/242/DOC032242211.jpg)
18 800 руб.
от 3 шт. —
17 510 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 18 800 руб.
Плати частями
от 4 700 руб. × 4 платежа
от 4 700 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Технические параметры
Структура | полумост | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 150 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 790 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 | |
Корпус | AG-34MM | |
Вес, г | 160 |