FF300R08W2P2B11ABOMA1, IGBT MODULE, 750V, 200A, MODULE

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

20 120 руб.

от 5 шт. — 18 270 руб.

от 10 шт. — 17 590 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 20 120 руб.

Плати частями
от 5 030 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8009268670

Артикул: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

The Infineon IGBT module is a very compact and flexible product offering integrated isolation for the main inverter of hybrid and electric vehicles.

Collector Emitter Saturation Voltage	1В
Collector Emitter Voltage Max	750В
Continuous Collector Current	200А
DC Ток Коллектора	200А
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Линейка Продукции	EasyPack Series
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	750В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1В
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT EDT2
Configuration	Half Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage	750 V
Maximum Continuous Collector Current	200 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20.0V
Mounting Type	PCB Mount
Package Type	AG-EASY2B-3
Вес, г	400

pdf, 822 КБ

Мы рекомендуем