FF450R07ME4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 450 А, 1.55 В, 150 °C, Module

FF450R07ME4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 450 А, 1.55 В, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
46 270 руб.
от 5 шт.40 880 руб.
от 10 шт.40 040 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 46 270 руб.
Плати частями
от 11 569 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8003757539
Артикул: FF450R07ME4BOSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.55В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 450А
DC Ток Коллектора 450А
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Dual
Линейка Продукции EconoDUAL 3
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.55В
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench/Field Stop)
Вес, г 410.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 479 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов