FF600R12ME4AB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 995 А, 1.75 В, 4.05 кВт, 150 °C, Module
![FF600R12ME4AB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 995 А, 1.75 В, 4.05 кВт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/526/DOC037526983.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
102 600 руб.
от 5 шт. —
95 300 руб.
1 шт.
на сумму 102 600 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 995А |
DC Ток Коллектора | 995А |
Power Dissipation | 4.05кВт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Dual |
Линейка Продукции | EconoDUAL 3 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
Рассеиваемая Мощность | 4.05кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 250 |
Техническая документация
Datasheet FF600R12ME4AB11BPSA1
pdf, 681 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов