FF600R12ME4AB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 995 А, 1.75 В, 4.05 кВт, 150 °C, Module

FF600R12ME4AB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 995 А, 1.75 В, 4.05 кВт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
102 600 руб.
от 5 шт.95 300 руб.
1 шт. на сумму 102 600 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8008620285
Артикул: FF600R12ME4AB11BPSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.75В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 995А
DC Ток Коллектора 995А
Power Dissipation 4.05кВт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Dual
Линейка Продукции EconoDUAL 3
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.75В
Рассеиваемая Мощность 4.05кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench/Field Stop)
Вес, г 250

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов